電子元器件行業周報:國內NAND閃存市場需求增長強勁,加速閃存芯片國產化進程

要點一周回顧:

本周(2016.8.19-2016.9.2)滬深300指數上升0.21%,創業板指下跌0.86%,中小板指下跌1.01%。電子元器件(中信)板塊下跌1.20%,跌幅大于創業板指。子板塊方面,跌幅最大的是電子體設備,達到2.7%。

電子行業個股漲幅前五的公司為:同洲電子(002052),萊寶高科(002106),深華發A(000020);生益科技(600183);東旭光電(000413)。

行業動態:

2018年VR頭戴裝置將達4,300萬臺:資策會MIC日前在2017資通訊產業趨勢回顧與前瞻記者會上預估2018年全球VRHMD出貨量將達到4,300萬臺,相較于今年將成長3,000萬臺以上。

2020年中國將消耗全球四成NANDFlash:DRAMeXchange預估2017年中國市場所消耗的NANDFlash量將占全球30%以上,2020年將占全球逾40%。

英特爾正式發布第七代酷睿處理器:芯片巨頭英特爾正式發布了全新第七代酷睿處理器,這一代處理器的微架構代號為KabyLake,主要是用于代替2015年發布的第六代酷睿芯片的Skylake微架構。

Skylake架構基于14nm工藝制程,功率和性能提升明顯。

臺積電將推出GaN快充芯片:臺積電協同合作伙伴戴樂格半導體(DialogSemiconductor),將于明年第1季推出首顆氮化鎵(GaN)手機快充晶片,該晶片具備體積縮小、效能提高、充電時間減半等優勢,適用于手機及平板等行動快充。

核心觀點:電子行業中報業績喜人,逾7層公司收入實現增長:A股電子元器件行業172上市公司公布2016年中報,其中111家凈利潤同比增長,61家下降,132家營業收入同比增長,40家下降,凈利潤和營業收入同時增長的公司有英唐智控等96家,利潤收入均下降的有同洲電子等25家,業績增幅翻倍的公司有32家,其中麥達數字凈利潤增幅最大,達7185.73%。

國內NAND閃存市場需求增長強勁,將加速閃存芯片國產化進程:日前,閃存產業的指標性展會──2016年全球閃存高峰會(2016FlashMemorySummit)在北京落幕,該峰會已經連續兩年在中國舉行。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)預估2017年中國市場所消耗的NANDFlash量將占全球30%以上,2020年消耗量將占全球逾40%,顯示出國內NAND閃存市場需求的快速增長。

國內快速發展的市場需求,引來全球NAND閃存公司的注意。韓國三星在中國西安投資的NAND工廠已經投產,主要產品為3DNAND閃存;英特爾(Intel)也把大連的封測工廠改造成NAND工廠,預計2016年底開始小量生產,主力產品很有可能為3DXPoint閃存。

與此同時,國家政策也在大力助推國內存儲器產業向前發展。此前總投資1600億元的國家存儲器基地已經正式落戶武漢,長江存儲科技有限責任公司于7月26日正式成立,武漢新芯成為其全資子公司。8月24日,湖北武漢市政府與紫光集團在北京簽署《全面戰略合作框架協議》,雙方將圍繞國家存儲器基地項目建設、集成電路產業發展基金、新IT“云—網—端”全產業鏈等領域開展全方位合作。

我們認為,在強勁的國內市場需求和國家政策及資金的支持下,國內存儲器產業將迎來快速發展期,從設計到生產再到封裝測試全產業鏈的國產化進程將加速向前進行。建議關注產業鏈相關標的:紫光國芯(002409)、兆易創新(603986)、上海新陽(300236)、七星電子(002371)、深科技A(000021)、華天科技(002185)、長電科技(600584)、通富微電(002156)。

風險提示:下半年業績增速不達預期;市場環境存在大幅波動風險